微电子IC制造虚拟仿真培训平台

    《CMOS集成电路化学气相淀积虚拟工艺仿真》实验满足《集成电路制造工艺》课程必备的实践要求，课实现了多地、多专业的实验教学资源共享。使学生根据实验要求完成实验，同时将知识贯通，理解和掌握集成电路制造工艺的多种关键技术。

     CMOS集成电路化学气相淀积工艺虚拟仿真实验教学过程为：首先进行CMOS非门制造工艺流程设计和仿真；再进行等离子体化学气相淀积(PECVD)工艺参数设计、设备模拟运行和设备操作。

     CMOS非门制造工艺流程设计和仿真，首先选择设计CMOS非门制造工艺的每个工序（有87个工序），并根据用户所设计的工序顺序进行工艺流程仿真，包括工艺方法和器件结构仿真；用户所设计的工艺流程自动与标准规则进行比较和打分。通过设计操作，掌握CMOS非门的工艺流程。

     等离子体化学气相淀积(PECVD)工艺参数设计和设备模拟运行操作，首先进行工艺参数设计，并将数据输出到数据库并打分；再在VR虚拟制造环境中，漫游找到关键工序，完成设备运行交互操作，包括：上料、生产模拟运行（抽真空、充气、淀积等）、取料等，并显示IC器件在关键工序设备加工完成前后的IC器件结构的变化，完成后将操作数据输出到数据库并打分。

     集成电路制造工艺设备很贵，很难应用于学生实验教学，虚拟仿真教学是最佳的方法。本平台开设的集成电路制造工艺仿真实验项目，不仅可以解决真实实验的问题，也能使学生通过自行设定相应参数，将不可及的抽象概念转化为直观、可控的仿真图形、数据等。学生可进行重复模拟，全面深刻的认知和理解集成电路制造工艺的多种关键技术，提高学生专业兴趣和理论联系实际的能力。

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